檢索結果：共8筆資料 檢索策略： "Chin-Hsien Wu".ecommittee (精準) and ckeyword.raw="快閃記憶體轉換層"
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干擾錯誤和保留時間錯誤是3D-TLC閃存中的兩種主要錯誤類型。 隨著的P/E cycles增加，氧化層變薄。 因此，存儲在電池中的電荷變得更容易丟失，這將導致Vth發生負向偏移。 同時，由於FN隧道…
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為了增加MLC flash memory的整體效能，會把SSD 中一部分的MLC block 轉換成pseudo SLC block，能讓這些block 能夠有一般SLC block的效能，因為此時…
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自我修復NAND型快閃記憶體是近年被提出的新硬體技術，相對於傳統NAND型快閃記憶體經過多次讀寫而造成的寫穿狀態，自我修復NAND型快閃記憶體可以透過高溫使電子離開隧道氧化物讓電晶體可以重新儲存電子…
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快閃記憶體(NAND Flash)擁有體積小、功耗低、抗震、存取速度快等優勢，但快閃記憶體仍會面臨資料的「異地更新」、「垃圾收集」和「不平衡的執行時間」等硬體上的限制。一般而言，在有限的DRAM空間…
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善用工作負載的空閒時間來提高系統性能是非常重要的，例如採用 NAND Flash的固態硬盤 (SSD) 將會面臨垃圾回收 (GC)的問題。 由於垃圾回收會導致長尾延遲並降低系統性能， 因此，如何正確…
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隨著科技的發展，儲存設備的演進也從傳統硬碟(Hard Disk Drive)逐漸邁入NAND 快閃記憶體，成為主流的儲存設備。NAND 快閃記憶體具有體積小、低功耗、讀寫速度快、非揮發性…等優點，近…
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近年來固態硬碟(Solid State Disk) 發展越來越成熟，不管是讀寫速度、體積、抗震程度和功耗都優於一般硬碟(Hard Disk Drive)，固態硬碟目前的缺點為成本與一般硬碟相較之下高…